飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容

随着基于 LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能 RF 功率晶体管的推出,飞思卡尔(Freescale)半导体扩展了它在 GSM EDGE 无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能,使它们轻松集成到放大器内,同时可提供卓越的性能水平。 MRFE6S9046N (920 至 960 MHz)对于 GSM EDGE 的应用,MRFE6S9046N 的运行频率为 920 至 960 MHz,提供17.8 W 的平均 RF 功率输出,19 dB 的增益,效率高达 42.5%,且误差矢量幅度