飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET

上传：chuanchuanok 浏览： 26 推荐： 0 文件：PDF 大小：50KB 上传时间：2021-02-21 23:35:55 版权申诉

飞思卡尔半导体公司为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。 TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法,这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是家专门针对新兴的标准提供商用射频集成电路(RFIC)的公司。新近优化的飞思卡尔MW6IC2240NB的高输出水平使OEM能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个,不但节约了电路板空间,而且降低了功率消耗和成本。旗舰型MW6IC2240NB是一个LDMOS双级RFIC。当用于28 V的终放大器应用上时,在输出功率为35 dBm的 2010 MHz 到2025 MHz的频率范围内,能够提供28