双波长量子阱GaAs半导体激光器

日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条宽亦经适当选择,可在0.843微米和0.803微米单独或同时振荡。