GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10 W(室温,连续),峰值波长为806~809 nm。
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