首页 下载 数据库 其它 下载详情 GaAlAs/GaAs量子阱结构的实验研究 上传:qq_64073 浏览: 10 推荐: 0 文件:PDF 大小:859.94KB 上传时间:2021-02-20 23:48:59 版权申诉 利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果。 立即下载 上传资源 微信扫一扫 用户评论 提交评论