GaAs / InGaAs / GaAs纳米线核 多壳量子阱异质结构的制备和光学性质

AlGaAs GaAs纳米线量子阱异质结构的制备和光学性质

AlGaAs / GaAs纳米线/量子阱异质结构的制备和光学性质

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2021-03-29 16:27

GaAs纳米线上的多壳InAs量子点的制备和光学性质

结合纳米线和量子点的混合纳米结构促进了具有集成功能的纳米电子和纳米光子器件的发展。 在这项工作中,我们提出了一个复杂的纳米结构,在纳米线上生长了多壳量子点。 通过金属有机化学气相沉积,在GaAs纳米线

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2021-04-22 16:21

量子阱无序的窗口结构InGaAs GaAs AlGaAs量子阱激光器

对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导I

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2021-02-20 02:50

InGaAs GaAs应变量子阱的发光特性研究

利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,

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2021-02-07 18:15

InGaAs GaAs AlGaAs应变量子阱激光器

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了In

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2021-02-28 19:01

独立式GaAs AlGaAs单量子阱SQW微管的光学研究与InGaAs GaAs双层微管的比较

独立式GaAs / AlGaAs单量子阱(SQW)微管的光学研究:与InGaAs / GaAs双层微管的比较

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2021-03-29 16:27

GaAlAs GaAs量子阱结构的实验研究

利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制

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2021-02-20 23:48

纤锌矿和掺锌GaAs InAs核壳纳米线的能带结构操纵

纤锌矿和掺锌GaAs / InAs核壳纳米线的能带结构操纵

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2021-03-31 01:35

GaAs81Sb19GaAs核壳纳米线中的I型能带对准

GaAs81Sb19 / GaAs核壳纳米线中的I型能带对准

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2021-03-23 17:54

InGaAs GaAs InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究

报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68 mA)存在,在一定的电

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2021-02-01 14:05

GaAs量子阱的自旋扩散特性研究

GaAs量子阱的自旋扩散特性研究

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2021-05-04 22:48

MOCVD生长1.06μm波段InGaAs GaAs单量子阱材料的发光特性研究

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度

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2021-02-07 18:15

AlGaAs GaAs多量子阱激光器

本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm~2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,

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2021-02-07 21:23

ZnO ZnSe核壳纳米线结构的制备

ZnO和ZnSe都是重要的宽带隙II-VI族半导体材料。一维ZnO和ZnSe纳米材料是目前半导体一维纳米材料研究领域的热点,又由于二者之间的能带差,如果构成异质结构将会使材料的电子传输特性发生改变,因

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2021-04-06 09:25

Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究

Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究，李奕，章永凡，采用基于赝势平面波的第一性原理方法，研究了未掺杂和Bi掺杂GaAs晶体的电子结构，以及掺杂前后GaAs晶体的复介电函数和复折射率函数�

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2020-05-04 15:25