Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究

上传:liuhao96125 浏览: 15 推荐: 0 文件:PDF 大小:370.51KB 上传时间:2020-05-04 15:25:00 版权申诉
Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究,李奕,章永凡,采用基于赝势平面波的第一性原理方法,研究了未掺杂和Bi掺杂GaAs晶体的电子结构,以及掺杂前后GaAs晶体的复介电函数和复折射率函数�
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