二维GaAs电子结构和光学性质的理论计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论, 验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性, 计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明, 不同于三维GaAs, 二维GaAs最高的两个能带相互交叠, 显示出金属性; 维度的降低使得As的s态和p态电子相互作用增强, 产生较多的态密度峰, 且峰位向低能方向移动; 低能带主要由Ga-d态、As-s态和As-p态构成; 高能带主要由As-s态和As-p态构成; 二维GaAs静态介电常数为3.67, 对紫外光具有较强的吸收作用, 在光子能量3.90~4.71 eV和5.69~6.90 eV范围表现出金属反射特性。