GaAs/GaAlAs激光器列阵有源区电场分布研究

GaAlAs GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10

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2021-04-20 01:14

GaAlAs GaAs DH激光器的红外透射研究

本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果.实验表明,红外透射技术是研究GaAlAs/GaAsDH激光器的又一有效工具.我们获得的有关GaAlAs/Ga AsDH激光器的外延层、条区结构和

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2021-02-27 00:40

光栅耦合GaAs和GaAlAs环形激光器

据D. R. Scifres等人报道,在GaAs和GaAlAs环形激光器中他们观察到借助光栅进行的光耦合输出。这种装置与所有的二极管环形激光器一样,具有激光阈值低、偏振输出光准直度高的优点。在温度为7

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2021-03-25 20:22

单模大功率GaAlAs GaAs激光器

一般讲,如果只考虑器件的功率特性,则制造大功率激光器并不太困难。但要想制出同时具有大功率和稳定单纵模与横模的激光器则很难。然而,在诸如高速激光印刷、光盘记录以及远距离空间通信等许多应用中,偏偏要求激光

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2021-04-05 08:26

低阈值GaAs GaAlAs PNPN负阻激光器

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2021-02-17 01:24

光触发GaAs GaAlAs异质结负阻激光器

采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。

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2021-02-26 02:11

透射窗口型GaAs GaAlAs掩埋异质结构激光器

本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。

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2021-04-08 04:00

GaAlAs GaAs量子阱结构的实验研究

利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制

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2021-02-20 23:48

五波长分布反馈型DFB激光器列阵

东芝公司已研制成一台多波长发射机,据透露,它是世界上第一台由集成型半导体激光器(该激光器把五个激光元件装在一块晶片上)和一个把五种不同波长组合在一起的多路波长调制器组成。因此,发射机可以通过单根光纤同

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2021-02-09 16:02

电流密度分布对GaAs GaAlAs条形激光器的瞬态温度特性的影响

本文将电流密度的侧向分布考虑到热传导模型中去,对一般条形半导体激光器的体内瞬态温度分布进行了计算,同时,利用光谱法对一些条形激光器的瞬态温度进行了实验测量.计算结果同测量结果一致.

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2021-02-20 02:53

再论GaAlAs GaAs DH激光器红外透射发光观测法

本文着重讨论IT/E法的基本原理、对比度、分辨率、放大倍数和发光图样等问题,以及同这一方法使用范围有关的因素。此外,还对实验方法和实验结果作了补充。

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2021-02-07 21:23

GaAs GaAlAs双异质结激光器寿命的测量和分析

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2021-03-25 20:22

GaAs1×4Mach Zehnder型光开关列阵研究

采用非对称X结耦合器设计并研制了 GaAs 1×4 Mach-Zehnder型光开关列阵。简述了非对称X结和相应的光开关列阵的工作原理及器件的设计和制作过程。在波长为1.15 μm的光波下测量单元器件

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2021-04-25 07:16

条形GaAs GaAlAs双异质结激光器的发射光谱特性

介绍条形GaAs—GaAlAs双异质结激光器的四种发射光谱类型。探讨了它们的可能起因。有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。测量了不同电流下模式的转移与竞争。当电流增加时, 波长向短波方向漂移。热阻

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2021-02-07 21:23

窄沟槽衬底条形GaAlAs GaAs DH激光器特性的测量和分析

本文着重讨论窄沟槽衬底条形GaAlAs/GaAsDH激光器的观察和测量。显示了单模激光器和多丝激光器特性的基本差别,讨论了引起这些差别的基本原因和这两类器件的应用前景。

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2021-02-08 11:51