P掺ZnO及缺陷对其光电性质影响的研究

利用Adam算法优化后的BP神经网络训练预测P掺杂ZnO后的各体系的缺陷形成能,分析得出最易形成的体系是ZnO∶PZn和ZnO∶PZn(2VZn)体系,反之是ZnO∶PO和ZnO∶PZn(1VZn)体系,之后在第一性原理的基础上研究各体系光电特性,分析可知ZnO∶PZn体系呈n型导电,带隙0.78 eV,大于本征体系。ZnO∶PZn(2VZn)体系呈p型导电,带隙和本征体系相似,电导率与ZnO∶PZn体系相近且都远高于ZnO∶PZn(1VZn)体系,反射率、吸收率和光透率都优于本征ZnO体系。