ZnO/P Si异质结的光电特性研究

利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备ZnO/P-Si异质结,研究衬底温度对异质结光电特性的影响。结果表明,在400 °C,500 °C,550 °C和600 °C下生长ZnO制备的异质结都有一定的整流特性,反向暗电流随着衬底温度的升高略有增加,在550 °C下制备的样品具有最明显的光电效应。ZnO/P-Si异质结对可见光和紫外光呈现出不同的响应性。在可见光照射下,光电流随反向偏压急剧增大,偏压增大到某一值时,光电流增速变小,而在紫外光下,光电流有逐渐增大的趋势。根据ZnO的透射谱认为,可见光和紫外光是异质结不同的耗尽区诱导电子空穴对产生光电流的。