论文研究退火对ZnO纳米杆/n Si异质结IV 特性的影响 .pdf

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退火对ZnO纳米杆/n-Si异质结I-V特性的影响，黄晖辉，方国家，采用水热法在n型重掺杂的硅片（100）上生长了垂直致密的ZnO纳米杆，并制备了ZnO纳米杆/n-Si异质结。研究了在630℃下不同退火时间对ZnO��

ZnO P Si异质结的光电特性研究

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2021-03-17 07:00

退火对ZnO薄膜晶体结构和ZnO p Si异质结光电性质的影响

采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500 °C、600 °C和700 °C下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜晶体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和

2021-03-29 10:11

论文研究ZnO纳米线p Si异质结二极管电学特性的研究.pdf

ZnO纳米线/p-Si异质结二极管电学特性的研究，刘国强，张贺秋，本文利用水溶液法在p-Si片上制备了垂直生长的无掺杂ZnO纳米线阵列，用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。通过I-V和C-V测试对

2019-09-04 03:56

论文研究温度对ZnO CuO IV特性的影响

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2020-07-16 15:42

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2021-02-23 18:16

ZnO n ZnSe i c Si p异质结太阳电池的模拟研究

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2021-04-20 10:45

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900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响，王东，张景文，本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底（0001）上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜，对生长的薄膜在空气中进行900℃退

2019-09-09 10:35

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表面极性对ZnMgO/ZnO异质结中二维电子气形成的影响，李远洁，马博君，利用射频磁控溅射法在c面（0001）蓝宝石单晶衬底上生长了ZnMgO/ZnO异质结结构，通过对生长过程中射频功率及氧气流量的调

2019-09-04 03:57

nc Si c Si异质结MAGFET的制备和特性

nc-Si / c-Si异质结MAGFET的制备和特性

2021-04-04 18:03

CdS Si纳米异质结阵列的光伏效应

CdS / Si纳米异质结阵列的光伏效应

2021-04-20 12:35

n型ZnO纳米棒p型金刚石异质结高温伏安特性及机制分析

n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结高温伏安特性及机制分析，桑丹丹，陈怀毅，本文在制备好的n型ZnO纳米棒/ p型金刚石异质结的基础上，对其进行伏安特性测试。主要研究了n型ZnO纳米棒/ p型金刚石异质

2020-07-16 23:41

退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响

生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力.通过对样品光致发光光谱研究表明:分段退火样

2021-02-21 22:31

n ZnO p CuI异质结的制备及能带取向

通过在p型γ-CuI(111)上生长未掺杂的n型ZnO薄膜来制造N-ZnO / P-CuI异质结。使用射频磁控溅射的单晶衬底。通过使用X射线衍射和扫描电子显微镜,ZnO膜被识别为具有c轴优选取向的

2021-03-24 01:55

纳米硅单晶硅异质结的电学特性

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2020-01-06 04:00

掺杂及退火对ZnO溶胶凝胶薄膜光电特性影响的研究进展

掺杂及退火对ZnO溶胶凝胶薄膜光电特性影响的研究进展，李建昌，曹青，本文从第一性原理理论计算和实验方面综述了掺杂及退火对ZnO溶胶凝胶薄膜光电特性影响的最新进展。III、IV族及稀土元素掺杂可在ZnO

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