InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究

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报道了利用LP-MOVPE技术生长高质量的InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果.宽而激光器实现了室温脉冲受激发射.激射波长为1.49 μm,在腔长为2000 μm时,最低阈值电流密度为0.30 kA/cm2.最大脉冲光输出峰值功率达500 mW以上.同时,从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系,并与LP-MOVPE生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较.

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