角反射器耦合的InGaAs应变层量子阱锁相列阵激光器的模式特性

采用反应离子刻蚀技术,设计、制备了一种角反射器耦合的10单元InGaAs应变层单量子阱镇相列阵激光器。在高达4×Ith的工作电流范围内,获得了主单瓣远场输出,单瓣束宽最低达0.64°,接近衍射极限。考虑了角反射器引入的纵模与侧模之间的耦合,及载流子注入引起的反折射率导引,用微扰理论作了模拟计算,表明角反射器耦合是锁相列阵的一种新的耦合机制;主瓣对应于同相锁定,支瓣是由周期性微扰引入的高阶本征模。