飞秒激光与准分子激光制作碲掺杂硅探测器

采用飞秒激光扫描P型单晶硅衬底上的碲单质膜层,实现了碲元素在硅中的N型掺杂,随后利用准分子激光对掺杂样品进行退火处理,制备了碲掺杂硅单晶材料。利用该材料研制出了在室温下具有高响应的碲掺杂硅探测器。在-4 V的反向偏压下,光电响应在1000 nm处达到0.86 A/W,外量子效率大于106.6%;随着反向偏压的增加,光电响应增加,同时截止波长向红外方向拓展,在-8 V偏压下,截止波长达到了1235 nm;在-16 V偏压下,测得响应在1080 nm处最高达到3.27 A/W。