X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移

上传：vvv94139vvv94139 浏览： 5 推荐： 0 文件：PDF 大小：1.02MB 上传时间：2021-04-04 10:16:24 版权申诉

非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结的能带偏移通过X射线光发射测量光谱学。在非极性GaN / AlN和AlN / GaN异质结中观察到较大的前后不对称性。确定非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结中的价带偏移为1.33± 0.16和0.73±0.16 eV。非极性GaN / AlN之间的价带偏移大,为0.6 eV AlN / GaN异质结被认为是由于非极性异质结中的压电应变效应引起的叠加器。