使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格作为势垒层的AlGaN / GaN异质结构的生长和表征

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通过金属有机气相沉积(MOCVD)在C面蓝宝石上生长使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格(SLs)作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构。与传统的硅掺杂结构相比,电性能得到改善。平均薄层电阻为287.1Ω/ sq; 整个2英寸外延层晶片的电阻均匀性为0.82%,Al含量为38%。霍尔测量表明,在室温下二维电子气(2DEG)的迁移率为1852 cm2 / V s,片载流子密度为1.2×1013 cm-2。均方根粗糙度(RMS)值为0.159 nm,扫描区域为5×5μm2,清晰可见单层台阶。讨论了性能改善的原因。 ? 2008爱思唯尔有限公司

使用无意掺杂的AlN GaN超晶格作为阻挡层的AlGaN GaN异质结构的生长和表征

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