氧化铟锡薄膜的椭偏光谱研究

用溅射法在Si片上制备了厚度为140 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜。X射线衍射研究表明所制备的薄膜为多晶结构。在1.5~4.5 eV范围内对ITO薄膜进行了椭偏测量。分别用德鲁德洛伦茨谐振子(Drude+Lorenz oscillators)模型、层进模型结合有效介质近似模型对椭偏参量ψ、Δ进行了拟合,得到ITO薄膜的折射指数n的变化范围在1.8~2.6之间,可见光范围内消光系数k接近于零,在350 nm波长附近开始明显变化,且随着波长的减小k迅速增加。计算得到直接和间接光学带隙分别是3.8 eV和4.2 eV。并在1.5~4.5 eV段给出一套较为可靠的、具有实用价值的ITO介电常量和光学常量。