闪速存储器行业报告:3D+NAND国产替代

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数据存储离不开存储器,存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。在电子产品中, 所有信息都是通过组合“0”或“1”的方式进行表达,而存储器则是存储这些电信号的地方。通过判断存储器断电后数据是否依旧被保存来区分这两种存储器。易失去性存储器(Volatile Memory, VM)在断电后数据随即丢失,静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器 (DRAM) 是 VM 中两种具备代表性的产品。非易失性存储器 (Non-volatile Memory, NVM)在断电后数据依然依旧保存在存储器内,闪速存储器 (Flash Memory)则

IC设计行业报告国产替代

中国半导体市场需求量大,约占全球半导体市场的 1/3。伴随着中国经济的快速发展, 在以手机、PC、可穿戴设备为代表的消费电子,以及以物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗、安防等新兴应用领

2021-04-25 15:57

闪速存储器指令

通过地址与数据特定组合的若干次写人序列,向闪速存储器发出指令。利用这样的序列,防止由于编程错误及开通电源的暂时不稳定等因素所引发偶然擦除及写人操作。 Am29F010A的指令定义如表所示。例如,当

2020-11-17 20:50

闪速存储器的概要

闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西,但又与普通的FET不同,特点是在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅,闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。

2020-11-17 20:22

骨科运动医学行业报告国产替代

全球市场规模:2018年全球运动医学市场规模接近60亿美金,同比增长8%,高于骨科整体市场增速(5%左右),预计2024年将达到91亿美金,年均复合增长率达到6.6%,是未来骨科市场增长最快的细分

2021-04-22 00:38

电子行业国产替代：东莞证券半导体行业综述报告

东莞证券发布的电子行业国产替代系列报告之一，着重聚焦半导体行业的综述。该报告深入剖析半导体行业的现状与未来发展趋势，为投资者提供重要参考。半导体作为电子行业的核心，其技术进步和国产替代是当前关注的焦点

2023-11-26 16:12

FPGA行业研究报告国产替代31页.zip

FPGA行业研究报告：国产替代（31页）,资源名称：FPGA行业研究报告：国产替代（31页）FPGA行业深度报告-雄关漫道真如铁，国产替代当自强.zip...

2020-07-24 10:38

电子特气行业报告国产化替代

全球工业气体行业规模已超过千亿美元,中国市场占比 17%。2018 年全球工业气体市场规模约 1220 亿美元,中国市场规模约 1350 亿元人民币,中国的市场份额约为 17%。中国工业气体市场增

2021-04-17 21:20

半导体设备行业报告刻蚀机国产替代

存储器是半导体销售额中占比最大的一类芯片,DRAM 和 NAND 占据超过 90%的存储器份额。存储器虽然不需要最先进的制程制造,但也都达到了 1X nm 级别(即十几纳米),刻蚀设备使用量明显增加

2021-04-18 06:53

闪速存储器的研究与进展

摘要 80年代中期以来,EPROM的容量每两年翻一番。通用E2PROM与EPROM相比,具有价格低、擦除简单等优点,但由于每个存储单元有两只晶体管,开发大容量E2PROM是非常困难的。用2um工艺

2020-12-17 04:42

NAND闪速存储器的复位操作

复位操作通过指令代码FFh的写人来进行。一旦发出该指令,内部用于编程/擦除的升压电路将断开,编程/擦除电压放电直至电压为0V。在放电这段时间内,R/B信号维持为Busy状态(低电平)。利用复位指

2020-11-18 00:00

NOR闪速存储器的引脚配置

在器件的使用方面,必须了解引脚配置以及各个引脚所代表的意思,因此我们现在首先调查引脚的配置。下载Am29F010A的数据手册后,没有关于DIP封装的记载。但是,因为事实上Am29F010的DIP类型是

2020-11-17 05:23

NOR闪速存储器信号的种类

Am29F010引脚的分组如图所示。Am29F040只是地址总线增加到18根,没有NC引脚,其他方面与Am29F010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、CE、OE、WE的组合如表所示。图

2020-11-17 05:24

NOR闪速存储器读周期时序

下面我们看一下数据手册中原有的、具体的读周期时序。图是Am29F010A的读操作的时序图,表是时序规定。与前所概述的内容相比较,在时序图当中,作为基点的电压存在两处,比概略图具有更多的时间规定。

2020-11-17 06:58

闪速存储器的分类及特征

闪速存储器根据单元的连接方式,如表所示,可分成NAND、NOR、DINOR(Divided bit Line NOR)及AND几类。NAND闪速存储器单元的连接方式如图1所示,NOR闪速存储器如图2所

2020-11-17 14:56

NAND闪速存储器的自动块擦除

自动块擦除是将指定的块的内容一次性设为FFh。正如先前所描述的那样,虽然写人操作是以页(528字节)为单位进行的,但擦除只能以块为单位进行。由于块擦除所提供的地址是块地址,所以占有2个字节。自

2020-11-18 00:55