电场和阶梯势垒对半导体阶梯量子阱中氢杂质态的影响

电场和阶梯势垒效应对半导体阶梯量子阱中氢杂质态的影响

在有效质量近似的基础上,从理论上研究了半导体和阶梯式势垒对半导体阶梯式量子阱中氢杂质态的影响。 数值结果表明,电子和杂质状态高度依赖于电场和阶梯式量子阱中的阶梯势垒。 施加的对称电场在阶梯式量子阱中诱

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2021-04-20 20:39

纤锌矿GaN AlGaN量子阱中的势垒宽度和内置电场对氢杂质的影响

基于有效质量近似,通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿(WZ)GaN / AlGaN量子阱(QW)中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明,随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增

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2021-03-16 21:11

激光场和电场对掺锌GaN AlGaN量子阱中杂质态的影响

基于有效质量近似,在ZB GaN / AlGaN量子阱(QW)中以可变方式研究了激光场和外加电场对杂质态的竞争效应。 数值结果表明,对于任何激光场,电场都会使供体结合能相对于QW中心呈不对称分布。 此

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2021-02-25 01:04

纤锌矿InGaN GaN量子阱中有限势垒宽度对激子态和光学性能的影响

纤锌矿InGaN / GaN量子阱中有限势垒宽度对激子态和光学性能的影响

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2021-02-23 19:12

掺锌GaN AlGaN量子阱中的施主杂质态量子限制和激光修饰效应

在有效质量近似的框架内,已对变化的激光场对共混锌(ZB)GaN / AlGaN量子阱(QW)中基态供体结合能的影响进行了研究。 数值结果表明,ZB GaN / AlGaN QW中的施主结合能高度依赖于

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2021-04-21 17:55

电场对掺锌对称InGaN GaN耦合量子点中施主杂质态的影响

电场对掺锌对称InGaN / GaN耦合量子点中施主杂质态的影响

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2021-02-23 19:12

静水压力对非对称多量子阱中施主杂质态的影响

基于有效质量近似,对锌共混物(ZB)InGaN / GaN非对称多量子阱(AMQW)中静水压力对施主结合能的影响进行了研究。 数值结果表明,静水压力增加了任何杂质位置的施主结合能。 此外,如果杂质位于

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2021-04-07 07:03

GaN AlGaN耦合量子点中的电子和杂质态电场和静水压力的影响

在有效质量近似的基础上,考虑到电场的综合影响,对位于共混锌(ZB)GaN / AlGaN对称耦合量子点(SCQD)表面的杂质的基态施主结合能进行了变化研究右边(沿着生长方向)和静水压力。 数值结果表明

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2021-04-21 17:55

应力对半导体量子点的能级的影响

论文，《应力对半导体量子点的能级的影响》 两页

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2020-07-27 05:07

GaAs AlxGa1xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应

GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应

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2021-04-07 07:03

极化子对非对称高斯势量子阱中外加电场的非线性光学整流的影响

极化子对非对称高斯势量子阱中外加电场的非线性光学整流的影响

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2021-04-07 07:03

掺锌InGaN GaN不对称耦合量子点中的氢杂质态

掺锌InGaN / GaN不对称耦合量子点中的氢杂质态

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2021-04-07 07:03

2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器

设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75 μm波段。通

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2021-02-01 16:21

阶梯问题

阶梯问题问题描述：某人上楼梯，他一步可以迈一个台阶，两个台阶或三个台阶，共有n个台阶，编程输出他所有可能上法。如：有4个台阶，输出应是:1111112121132112231算法设计：给定台阶的个数n

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2019-05-21 19:03

通过时间分辨光致发光研究具有不同势垒的InGaN多量子阱中的载流子寿命

通过时间分辨光致发光(TRPL)研究了具有不同势垒的InGaN多量子阱(MQW)的发射寿命与载流子寿命的关系。 对于高能光子,观察到了两个指数的衰减过程。 这可以通过InGaN量子阱中的两种载流子定位

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2021-04-18 07:01