通过时间分辨光致发光研究具有不同势垒的InGaN多量子阱中的载流子寿命

通过时间分辨光致发光(TRPL)研究了具有不同势垒的InGaN多量子阱(MQW)的发射寿命与载流子寿命的关系。 对于高能光子,观察到了两个指数的衰减过程。 这可以通过InGaN量子阱中的两种载流子定位中心(LC),浅定位中心(SLC)和深定位中心(DLC)来解释。 量子阱的辐射复合效率(RRE)主要取决于DLC中的载流子动力学。 与常规InGaN / GaN MQW相比,具有60nm In 0.01 Ga 0.99 N的第一势垒的MQW具有更小,更密集的DLC,因此具有更高的RRE;对于具有In 0.02 Ga的所有势垒的MQW 0.98 N,DLC的平均面积和总面积都变大。 它可以维持类似的RRE,但在DLC中的载波寿命要短得多,只有几十ns。 认为LC的状态在很大程度上取决于MQW中的应变。