GaN盖层厚度不同的高铟含量InGaN / GaN多量子阱的光学和结构特征

纤锌矿InGaN GaN量子阱中的激子光学吸收

纤锌矿InGaN / GaN量子阱中的激子光学吸收

PDF

524KB

2021-05-01 02:49

阱厚度变化的绿色发光InGaN GaN多量子阱中的定位效应

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长具有不同阱厚度的绿色发光InGaN / GaN多量子阱(MQW)结构。 通过依赖于温度的光致发光(PL)测量来研究这些样品中的定位效应。 观察到PL峰值能量随

PDF

256KB

2021-04-25 17:09

自组织GaN小岛的InGaN GaN量子阱白光发射

成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长,在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底,在非极性小面上设计制备了InGaN/GaN多量子阱发光有缘层结构。通过透射电子显微镜(TEM)制样

PDF

2.69MB

2021-04-17 17:21

InGaN GaN量子阱杂化InGaN纳米点的生长和表征

均匀的InGaN纳米点成功地在SiO2预处理的GaN表面上生长。发现InGaN纳米点的直径约为20nm,高度约为5nm。在InGaN纳米点的表面上生长两个周期的InGaN / GaN量子阱之后,由于增

PDF

43KB

2021-04-07 07:03

通过耦合的InGaN GaN量子阱和量子点结构提高绿色InGaN量子点的内部量子效率

InGaN量子点(QD)因其应变小且量子限制的Stark效应较弱而有望用于绿色发光二极管和激光二极管。 但是,其较小的载流子俘获截面仍然限制了其内部量子效率(IQE)。 基于温度依赖性和时间分辨的光致

PDF

2.69MB

2021-03-22 01:46

自组织刻面GaN岛上的InGaN GaN量子阱生长和发光研究

自组织刻面GaN岛上的InGaN / GaN量子阱:生长和发光研究

PDF

704KB

2021-03-27 01:04

InGaN GaN单量子阱的温度依赖性生长

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了在各种InGaN生长温度下的InGaN / GaN单量子阱(SQW)结构,研究了其表面形态和光学性质。 SQW表面上典型V坑的半径受InGaN阱温度的影响,

PDF

896KB

2021-03-22 01:46

InGaN GaN量子阱的界面修饰应变前释放效应

InGaN / GaN量子阱的界面修饰:应变前释放效应

PDF

1.06MB

2021-04-20 10:44

通过对GaN膜进行表面改性来改善InGaN GaN单量子阱

通过对GaN膜进行表面改性来改善InGaN / GaN单量子阱

PDF

929KB

2021-02-26 21:15

应变调制InGaN GaN多量子阱的光谱漂移研究

在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生长了具备InGaN应变层的MQW结构以减弱极化场,并进行了变

PDF

4.52MB

2021-02-23 19:12

InGaN GaN非对称多量子阱中的施主杂质

InGaN / GaN非对称多量子阱中的施主杂质

PDF

299KB

2021-03-27 01:04

MOCVD生长的高含量InGaN的异常铟掺入和光学性质

MOCVD生长的高含量InGaN的异常铟掺入和光学性质

PDF

2.03MB

2021-05-03 14:02

具有强内置电场的InGaN GaN应变量子阱中的非局部光学性质

具有强内置电场的InGaN / GaN应变量子阱中的非局部光学性质

PDF

714KB

2021-03-22 01:46

纤锌矿InGaN GaN量子阱中有限势垒宽度对激子态和光学性能的影响

纤锌矿InGaN / GaN量子阱中有限势垒宽度对激子态和光学性能的影响

PDF

331KB

2021-02-23 19:12

电场对掺锌InGaN GaN量子点中光学特性的影响

在有效质量包络函数理论的框架下,从理论上研究了电场对掺锌(ZB)InGaN / GaN量子点(QD)中激子态和光学性质的影响。 数值结果表明,电场使InGaN / GaN QD中的基态激子结合能,带间

PDF

526KB

2021-04-21 17:55