MOCVD生长的高含量InGaN的异常铟掺入和光学性质

上传:shengren78503 浏览: 6 推荐: 0 文件:PDF 大小:2.03MB 上传时间:2021-05-03 14:02:07 版权申诉
MOCVD生长的高含量InGaN的异常铟掺入和光学性质
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