通过耦合的InGaN / GaN量子阱和量子点结构提高绿色InGaN量子点的内部量子效率
InGaN量子点(QD)因其应变小且量子限制的Stark效应较弱而有望用于绿色发光二极管和激光二极管。 但是,其较小的载流子俘获截面仍然限制了其内部量子效率(IQE)。 基于温度依赖性和时间分辨的光致发光,研究了在耦合的InGaN / GaN量子阱(QW)和量子点结构中的隧穿增强的载流子传输。 发现载流子可以在室温下从浅量子点隧穿到深量子点。 与传统的单QD层相比,QD的IQE可以提高两倍以上,达到约45%。
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