具有内部放大功能的a Si光电探测器
具有内部放大功能的a-Si光电探测器
用户评论
相关推荐
具有波长选择功能的单片集成Si基长波长光探测器
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP基PIN光探测结构。其中的GaAs/Si异质外延生长, 采用中间刻
PDF
956KB
2021-02-15 16:13
光电探测器前置放大电路研究
光电探测器前置放大电路研究
PDF
286.64 KB
2020-10-27 05:45
光电探测器前置放大电路设计
光电探测器前置放大电路设计光电探测器前置放大电路设计光电探测器前置放大电路设计
PDF
214KB
2020-08-08 15:18
光电探测器前级放大电路设计
zip
279.52 KB
2022-07-09 08:10
具有Neganov–Luke效应的大面积Si低温光探测器
用于搜索稀有事件的下一代量热实验依赖于检测少量的光（大约20个光学光子）来区分和减少背景源并提高灵敏度。 量热探测器是在低温（mK）下进行光子探测的最简单解决方案。 描述了由于使用了Neganov-L
PDF
565KB
2020-07-19 07:52
具有超快响应的MoS2纳米片光电探测器
二维分层材料(例如二硫化钼)由于其独特的电子特性和原子薄的几何形状而成为未来电子学的令人兴奋的材料系统。 在这项工作中,基于MoS2的FET是使用机械分裂,标准光刻和金属蒸发技术制造的,并且探测器具有
PDF
883KB
2021-04-27 07:16
光电APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率,但是它无法将光生载流子放大,因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光,我们希望光电探测器具有内部增益,即少量的光生载流子在
PDF
98KB
2021-02-23 22:26
光电PIN探测器
尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350~500'C温度下生长在GaSb衬底上,较低的温度用来生长重掺杂P型,较高的温度用来生长N型,′
PDF
96KB
2021-04-19 18:45
显示光电技术中的光电APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率,但是它无法将光生载流子放大,因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光,我们希望光电探测器具有内部增益,即少量的光生载流子在
PDF
90KB
2020-11-17 11:58
显示光电技术中的光电MSM探测器
MSM是一种平面结构,结构简单,易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上,接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构,相互错开的电极各自
PDF
54KB
2020-11-17 23:14
显示光电技术中的光电PIN探测器
尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350~500'C温度下生长在GaSb衬底上,较低的温度用来生长重掺杂P型,较高的温度用来生长N型,′
PDF
81KB
2020-11-17 02:01
Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟
设计了Si 衬底上Ge 薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si
PDF
1.95MB
2021-02-07 14:22
具有金属光栅耦合器的太赫兹量子阱光电探测器
具有金属光栅耦合器的太赫兹量子阱光电探测器
PDF
855KB
2021-04-06 16:25
显示光电技术中的光电SAM APD探测器
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加,特别是当倍增区的禁带宽度较窄时,这种隧穿电流变得相当可观,严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流,人们设计了一种将吸收区和倍增区分开(S
PDF
53KB
2020-11-17 11:54
显示光电技术中的光电探测器基本结构
如图1(a)所示为PIN光电探测器基本结构,N型衬底上生长一层低掺杂本征层,在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触,其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射
PDF
62KB
2020-11-17 19:53