InAlN / GaN HEMT中的肖特基接触技术可改善击穿电压

在本文中,我们证明了通过使用新的肖特基接触技术,晶格匹配的In0.17Al0.83N / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的截止状态击穿电压(BV)改善了253%。 基于此概念,提出了肖特基源/漏和肖特基源(SS)InAlN / GaN HEMT。 提议的L-GD为15μm的InAlN / GaN HEMT的三端BV大于600 V,而相同几何形状的常规InAlN / GaN HEMT的最大BV为184V。在板中,在L-GD = 15μm的SS InAlN / GaN HEMT中测量到650 V的BV,这是InAlN / GaN HEMT上实现的最高BV。 相应的比导通电阻(R-sp,R-on)低至3.4 mΩ。 厘米(2)。 在L-GD = 1μm的SS InAlN / GaN HEMT中,也获得了118 V的BV,这是在具有如此短的L-GD和GaN缓冲器的GaN基HEMT中,BV最高的。 BV的改进依赖于有效抑制金属在SS下注入到GaN缓冲液中的源载流子,这是由于其平滑的金属形态和消除了肖特基金属化过程中的金属尖峰。