具有自解压JTE沟槽端接的新型HV BCD处理平台上的HV EL驱动器IC

本文提出可集成自提取结终端的0.35μm150V-BCD(双极互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)新型高压Craft.io。利用此Craft.io开发出的100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新Craft.io与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散Craft.io的P-ISO (P型隔离结构)传统隔离结构,显着简化了Craft.io并提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDN-MOS / LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/ P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状态下无负电位,EMMI(微光显微镜)等寄生现象的出现。