首页 下载 数据库 其它 下载详情 过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响 上传:难以逾越 浏览: 13 推荐: 0 文件:PDF 大小:811.46KB 上传时间:2021-04-26 08:15:37 版权申诉 利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件。 立即下载 上传资源 微信扫一扫 用户评论 提交评论