紫激光作用下四甲基硅多光子电离TOF质谱研究
本文采用超声分子束技术,以飞行时间质谱仪,在396~387nm内的紫激光作用下对四甲基硅进行了多光子电离飞行时间质谱的研究,在较高的激光能量作用下检测到了Si(CH3)(n=1,2,3,)、Si9及等多种离子的信号,在较低的激光能量作用下只检测到了Si9、等离子的信号,表明四甲基硅在不同激光能量作用下经历了不同的多光子电离过程.
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