指数掺杂传输模式AlxGa1 x As / GaAs光电阴极的光学性质和量子效率的仿真研究

为了更好地了解影响透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As/GaAs 光电阴极性能的因素,利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能函数,以及考虑窗口层光电子贡献作用的透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As/GaAs 光电阴极量子效率公式建模进行仿真,研究了光电阴极中 Alx Ga1-x As 窗口层、GaAs 发射层厚度变化及 Alx Ga1-x As 窗口层中 Al 原子数分数的变化对光学性能和量子效率的影响。结果表明:Alx Ga1-x As 窗口层厚度的变化和 Al 原子数分数的变化对光学性能和量子效率的短波区域影响较大,而 GaAs 发射层的厚度变化对长波和短波区域均有影响。