气体混合和加热对GaN MOCVD生长中气相React的影响

气体混合和加热对GaN MOCVD生长中气相React的影响

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2021-05-05 07:20

热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响

GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。

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2020-07-17 00:39

DFT研究GaN MOCVD生长的加合物React路径

DFT研究GaN MOCVD生长的加合物React路径

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2021-04-18 00:06

论文研究喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响.pdf

喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，张鑫，梁红伟，使用MOCVD设备进行GaN薄膜的生长，通过对喷淋头高度这一参数调整得到不同的几组GaN样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射（X

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2019-09-10 06:13

论文研究SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响.pdf

SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，宋琳，梁红伟，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD）方法，在相同的条件下在不同倾角的Si面6H-SiC衬底上生长GaN外延层。采用原子力显微镜(

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2019-09-10 06:13

垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响

垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响

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2021-04-21 19:35

掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响,发现

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2021-04-20 13:26

论文研究GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响.pdf

GaN基板氧化对MOCVD法生长氧化镓薄膜结晶特性的影响，庄睿，夏晓川，通过选择不同温度采用热氧化方式，在GaN基板上预先形成氧化镓薄层，而后以高纯氧气和三乙基镓为反应源，利用低压金属有机化合物气

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2020-04-26 02:09

自由基对气相化学反应生长GaN的影响研究

结合化学反应动力学模型,对MOCVD反应器中自由基对GaN生长的化学反应路径的影响进行数值模拟研究。通过对比加入自由基前后RDR反应器中Ga浓度变化,来分析自由基对化学反应热解路径的影响。同时改变压强

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2021-04-27 03:09

AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响

AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响

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2021-04-21 19:35

气流混合对生长GaN Si膜性能影响的研究

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响.结果表明:合理的III、V族气流混合对提高G

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2021-02-22 07:00

生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs AlGaAs量子阱质量的影响

生长条件对MOCVD法生长应变InAlGaAs / AlGaAs量子阱质量的影响

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2021-04-03 06:10

注氮对采空区松散煤体中气体分布的影响

通过分析采空区原有气体的运移特征,得出影响采空区注氮效果的主要影响因素;再通过建立采空区注氮防灭火惰化数学模型,利用FLUENT软件对数学模型进行解析模拟,同时结合煤矿现场实际情况进行验证,研究了注氮

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2020-08-17 22:39

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入

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2021-02-10 03:50

合成参数对MOCVD法生长氧化锌纳米针的影响

使用脉冲液滴注入式MOCVD,在金膜裹覆的MgO(100)衬底上于500°C合成氧化锌纳米针.纳米针为晶态并且在XRD谱线上主要呈现ZnO的4个衍射强峰(100)、(002)、(101)及(004).

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2021-02-23 22:51

残余水对低渗储层中气体渗流的影响分析

残余水对低渗储层中气体渗流的影响分析，赵继涛，梁冰，气体通过低渗干岩心渗流时其渗流规律基本符合达西定律，而在含水状态下岩样中气体的渗流将偏离达西定律。本文通过对不同含水率条

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2020-07-19 14:19