5G终端射频前端半导体行业研究报告:结构性增长

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不同材料的模块化以及减少射频器件之间的干扰是难点。射频前端器件总体分为两种工艺,一种是半导体工艺(PA/LNA/开关),另一种是 MEMS 工艺 (滤波器)。由于 PA 使用 GaAs HBT,LNA 使用 GaAs/SiGe,射频开关使用 RF SOI 都是属于半导体工艺,而滤波器采用 MEMS 工艺,因此滤波器的集成是难点。 3G/4G 会是分立式和模块式并存,5G 增量部分大部分都是模块 3G/4G 时代射频前端集成度取决于设计和性价比,分立式和模块并存。出于空间的考虑,4G 高端机需要部分射频器件采取模块形式,但是射频前端模块成本相对会高,因此低端机主要是分立式的。一般来说射频

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5G射频前端产业研究报告三维度

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