氧杂质及热处理过程对Ge Sb Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响

研究了氧掺杂Ge-Sb-Te磁控溅射相变薄膜在400~800 nm区域的光学常数(n,k),发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。由薄膜内应力变化和薄膜的结构变化解释了薄膜光学性质的变化。