槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析 (2011年)

运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响。结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65μm和2.5μm,掺杂浓度分别为1×1015和5×1015 cm-3时,得到击穿电压为3400V,阈值电压为8V。