硅衬底上生长ZnS薄膜及其性能研究

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入

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2021-02-10 03:50

蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

采用非掺GaN<SPAN style="FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE:

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2021-02-23 22:51

论文研究6HSiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究.pdf

6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究，林涛，李佳，采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.

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2020-05-02 12:45

低价硅衬底上多晶硅薄膜电池的一维数值模拟

低价硅衬底上多晶硅薄膜电池的一维数值模拟，宁吉丰，刘艳红，针对N型低价硅衬底上多晶硅薄膜结构电池提出一维计算模型，利用太阳能电池模拟软件AFORS-HET进行模拟，计算了短路电流、开路电压、�

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2020-07-20 01:35

论文研究衬底对玻璃和硅衬底上沉积的CuS PVA纳米复合薄膜的影响

通过化学路线沉积的过渡金属硫族化物纳米复合薄膜目前吸引了广泛的关注，其廉价，简单并且可用于大面积应用。由于应变引起的性质改变和晶格失配，基底的作用在膜沉积以及控制其性质中变得非常重要。使用溶胶-凝胶技

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2020-06-14 20:13

硅衬底上对准良好的ZnO纳米线阵列的生长

硅衬底上对准良好的ZnO纳米线阵列的生长

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2021-03-26 02:07

Diamond001衬底上立方氮化硼薄膜的异质外延生长及其n型掺杂

Diamond(001)衬底上立方氮化硼薄膜的异质外延生长及其n型掺杂

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2021-04-06 22:33

不同的退火气体对FTO衬底上生长的CuO薄膜的生长和光电流性能的影响

不同的退火气体对FTO衬底上生长的CuO薄膜的生长和光电流性能的影响

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2021-05-02 12:15

硅薄膜的制备及光学性能研究

硅薄膜的制备及光学性能研究，马胜利，王利，本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光学性能。结果发现，随着溅射功率的提高，硅薄膜

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2020-07-24 06:40

掺硼非晶硅薄膜性能研究

掺硼非晶硅薄膜性能研究，朱魁鹏，吴志明，用等离子体增强化学气相沉积法制备了掺硼氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率和均匀性进行了研究.结果表明,掺硼a-Si:H薄膜的电阻率随

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2020-07-17 11:00

Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应

测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱,研究了0.78 eV、0.84 eV和0.93 eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系,发现它们的发光强度随温度的变化服从

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2021-04-05 11:56

Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析

采用分子束外延法分别在650-920°C的Si(110)和920°C的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920°C高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧

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2021-04-04 19:11

硅衬底上生长的MODFET的DC特性和微波频率特性

硅衬底上生长的MODFET的DC特性和微波频率特性的详细描述与介绍

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2021-04-24 11:25

在熔融石英衬底上生长高质量的SrTiO3薄膜

在熔融石英衬底上生长高质量的SrTiO3薄膜，邢杰，高兴宇，利用磁控溅射技术在熔融石英衬底上生长了SrTiO3薄膜，然后对薄膜进行不同温度的后退火处理，利用X射线衍射和扫描电镜表征薄膜的微�

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2020-07-17 02:17

掺硼非晶硅薄膜的性能研究

掺硼非晶硅薄膜的性能研究，朱魁鹏，吴志明，摘要:用等离子体增强化学气相沉积法制备了掺硼氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率和均匀性进行了研究.结果表明,掺硼a-Si:H薄膜的电�

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2020-04-01 03:53