Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应
测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱,研究了0.78 eV、0.84 eV和0.93 eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系,发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。
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