衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响

上传:alpha86317033 浏览: 18 推荐: 0 文件:PDF 大小:550.45KB 上传时间:2020-07-26 04:16:23 版权申诉
衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响,姜守振,王传超,在不同的衬底温度下在n型Si(111)衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了(002)择优取向的具有室温铁磁性的Zn0.95Co0.05O薄膜。X射线衍射�
上传资源
用户评论
相关推荐
衬底温度脉冲激光沉积类金刚石薄膜影响
在脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜的实验中,保持其他实验参数不变,衬底温度分别取30,200,400和600 °C来沉积类金刚石薄膜。用拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪对不同衬底温度下沉积的类金刚石薄膜的
PDF
3.22MB
2021-02-17 19:55
AlN缓冲层厚度脉冲激光积在c蓝宝石衬底生长ZnO薄膜性能影响
AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积在c蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响
PDF
1.21MB
2021-04-08 16:24
脉冲激光沉积法制备PZT铁电薄膜衬底温度影响
采用脉冲激光沉积法在Si(100)衬底上制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,并用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)对其结构、形貌以及结构随沉积时衬底温度的变化进行了研究.由脉冲激
PDF
137KB
2021-04-06 00:14
碳预硅化在NiSi衬底注入Si衬底影响
在这项工作中,研究了碳预硅化在NiSi上注入到Si(1 0 0)衬底中的影响。 通过薄层电阻测量,X射线衍射,扫描电子显微镜(SEM),平面透射电子显微镜(TEM)和第二离子质谱(SIMS)对具有不同
PDF
1.24MB
2021-05-08 08:59
Si衬底生长GaAs薄膜中深中心发光温度效应
测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱,研究了0.78 eV、0.84 eV和0.93 eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系,发现它们的发光强度随温度的变化服从
PDF
1.14MB
2021-04-05 11:56
论文研究衬底玻璃和硅衬底沉积CuS PVA纳米复合薄膜影响
通过化学路线沉积的过渡金属硫族化物纳米复合薄膜目前吸引了广泛的关注,其廉价,简单并且可用于大面积应用。由于应变引起的性质改变和晶格失配,基底的作用在膜沉积以及控制其性质中变得非常重要。使用溶胶-凝胶技
PDF
0B
2020-06-14 20:13
衬底温度SnO
采用固相反应法制备了四方相结构的SnO2靶材,选用蓝宝石衬底,利用脉冲激光沉积法在不同温度下生长了一系列SnO2薄膜。X射线衍射测试结果表明,SnO2薄膜具有四方金红石结构,并且沿a轴近外延生长。另外
PDF
1.9MB
2021-02-09 15:47
衬底温度反应溅射ZnO Al导电薄膜性能影响
摘要:衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金(Al的含量为2%)靶,在衬底温度170°C,工作压力2.5mTo
PDF
176KB
2021-02-23 19:12
激光脉冲频率纳米Si薄膜形貌影响
在气压为10 Pa的惰性气体Ar环境下,采用XeCl准分子激光器(波长308 nm),调整激光单脉冲能量密度为4 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000 Ω·cm的高纯单晶Si靶,在玻璃或Si衬底上沉积
PDF
696KB
2021-04-02 07:43
衬底温度ZnO薄膜晶体结构和迁移率影响
衬底温度是影响ZnO薄膜特性的重要因素,可以在很大程度上改变薄膜的结晶结构,温度高低直接影响衬底表面吸附原子的表面迁移率,再蒸发和结晶情况.在室温下测量了不同温度生长的ZnO薄膜的X射线衍射(XRD)
PDF
1.08MB
2021-03-01 16:58
AlN插入层衬底GaN薄膜生长影响
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入
PDF
3.19MB
2021-02-10 03:50
衬底温度非极性ZnO薄膜结晶性能和发光特性影响
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)设备在LiGaO2(100)衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜。研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明在衬底温度为50
PDF
1.37MB
2021-04-04 10:16
改进SmCo基薄膜在热Si衬底沉积磁性能
通过磁控溅射Craft.io将具有不同底层的SmCo基薄膜沉积在650 1C的Si衬底上。 研究了不同底层对晶体结构和磁性能的影响。 结果表明,Al,Cu和Ag底层不能对晶体结构和磁性能产生正贡献。
PDF
714KB
2021-03-17 04:08
基础电子中衬底温度反应溅射ZnO Al导电薄膜性能影响
摘要:衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金(Al的含量为2%)靶,在衬底温度170°C,工作压力2.5mTo
PDF
178KB
2020-10-28 06:05
基片温度脉冲激光沉积ZnO薄膜性质影响
本文基于脉冲激光沉积(PLD)方法, 利用光谱物理GCR-170型脉冲激光器Nd∶YAG的三次谐波, 实验上完成了在Al2O3(0001)基片上生长了ZnO薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、光致发光(
PDF
2.13MB
2021-02-25 21:16