碳预硅化在NiSi衬底上注入Si衬底的影响

在这项工作中,研究了碳预硅化在NiSi上注入到Si(1 0 0)衬底中的影响。 通过薄层电阻测量,X射线衍射,扫描电子显微镜(SEM),平面透射电子显微镜(TEM)和第二离子质谱(SIMS)对具有不同剂量碳预硅化注入的NiSi薄膜进行了表征。 发现C的存在确实显着改善了NiSi的热稳定性,并且倾向于改变多晶NiSi的优选取向。 NiSi晶界处均匀分布的C和NiSi / Si界面处的C峰均归因于改善的NiSi热稳定性。 更重要的是,碳预硅化植入物的剂量在NiSi的形成中也起着关键作用,根据实际应用,建议在实际应用中不要超过约5 x 10(15)cm(-2)的临界值。这项工作取得了成果。