用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的Tin薄膜.pdf

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钙钛矿氧化物具有介电、铁电、压电、光电、超导、巨磁电阻以及光学非线性等非常丰富的特性与效应［)］. 随着高质量钙钛矿氧化物

分子束外延生长InPBi薄膜的结构和光学表征

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2021-04-25 12:49

蓝宝石衬底分子束外延生长GaN薄膜的原位椭偏光谱分析

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用分子束外延法生长707nm GaAs激光器

英国菲利浦研究实验室的一个研究小组已经证明,在量子阱激光器的制造中使用分子束外延技术,在低达707 nm的可见光谱内运转是可能的。如此短的波长对菲利浦的其它研究人员特别是袖珍光盘只读存Jfc器领域中的

2021-02-17 20:30

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2021-05-01 04:04

PbTe111薄膜的分子束外延生长及其表面结构特性

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2021-03-24 01:14

激光束外延促进超导薄膜生长

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2021-02-27 12:18

等离子体辅助分子束外延生长室温铁磁CuO薄膜

等离子体辅助分子束外延在MgO(111)衬底上外延生长CuO薄膜方法。反射高能电子衍射监测和X射线衍射分析表明是单晶CuO(002)薄膜。如果没有任何可检测到的铁磁掺杂剂或第二相,则CuO薄膜在5

2021-03-31 11:30

分子束外延蓝色激光器再获突破

目前所有商用蓝紫外光激光二极管(laser diode)都是以金氧化学气相沉积(MOCVD)法制造的;去年初,夏普(Sharp)公司在英国实验室的Jon Heffernan等人首次以分子束外延法,制作

2020-12-12 21:26

分子束外延法制造的激光双异质结

对使用分子束外延法制造激光器双异质结方面的研究工作进行了评述。比较了用分子束外延法和液相外延法制成的注入式激光器的性能,评价了使用分子束外延法制造较高质量的该类器件的成就和前途。

2021-02-22 05:30

论文研究SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析.pdf

SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析，陈治明，李连碧，用SEM和TEM对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜进行了结构分析，发现薄膜生长具有明显的随温度改变的岛状

2019-09-09 10:35

在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光

通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两

2021-04-05 11:56

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图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长.pdf

图文详解图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长。

2020-07-16 09:58

ZnO AlN Si111薄膜的外延生长和性能研究

用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(1

2021-04-17 18:48