论文研究MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点 .pdf

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MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点,周清,刘珂,用分子束外延(MBE)设备以Stranski?Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得��
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