超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究

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超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究，张春玲，姚江宏，本工作在GaAs基50nmInGaAs应变层上生长了六层InAs量子点（QD）层，通过分析各层之间的应力状况，配合生长过程中的反射式高能电子衍射�

垂直堆垛InAs量子点的光学性质

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InGaAs GaAs应变量子阱的发光特性研究

利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,

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GaAs / InGaAs / GaAs纳米线核-多壳量子阱异质结构的制备和光学性质

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从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性,并以InGaAs(P)体系为例,分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果表明,具有应变补偿结构的激光器可以获得较大的增益和较小的阈

2021-03-15 17:12

InGaAs GaAs AlGaAs应变量子阱激光器

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论文研究MBE生长InGaAs GaAs001多层矩阵式量子点.pdf

MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点，周清，刘珂，用分子束外延（MBE）设备以Stranski?Krastanov(S-K)生长模式，通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆

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GaAs纳米线上的多壳InAs量子点的制备和光学性质

结合纳米线和量子点的混合纳米结构促进了具有集成功能的纳米电子和纳米光子器件的发展。在这项工作中,我们提出了一个复杂的纳米结构,在纳米线上生长了多壳量子点。通过金属有机化学气相沉积,在GaAs纳米线

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InAs InGaAs digital alloy strain compensated quantum well lasers

InAs/InGaAs digital alloy strain-compensated quantum well lasers have been grown on InP substrate by

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2021-03-23 17:08

InGaAs InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究

报道了利用LP-MOVPE技术生长高质量的InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果.宽而激光器实现了室温脉冲受激发射.激射波长为1.49 μm,在腔长为2000

2021-03-17 00:55

InGaAs P分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器, 给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为1.55 μm的无应变激光器, 最佳的光限制层波长为1.24 μm, 厚度为100 nm

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论文研究基于InAs InP量子缝和InAs GaAs量子点的pin激光异质结构的载流子传导机理研究

通过在InAs / InP和基于InAs / GaAs的引脚结构上进行取决于温度的电流-电压和电致发光测量，研究了包含量子点层（QD）的长波长半导体激光器结构的电荷转移特性。在InAs / InP细

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InGaAs GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究

详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子

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对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导I

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