在室温下观察带有AlGaAs限制层的转移卷起InGaAs / GaAs量子点微管中的光学模式

独立式GaAs AlGaAs单量子阱SQW微管的光学研究与InGaAs GaAs双层微管的比较

独立式GaAs / AlGaAs单量子阱(SQW)微管的光学研究:与InGaAs / GaAs双层微管的比较

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2021-03-29 16:27

InGaAs GaAs AlGaAs应变量子阱激光器

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了In

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2021-02-28 19:01

量子阱无序的窗口结构InGaAs GaAs AlGaAs量子阱激光器

对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导I

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2021-02-20 02:50

自卷起的InGaAs GaAs微管中金纳米颗粒诱导的直径减小和拉曼位移增强

自卷起的InGaAs / GaAs微管中金纳米颗粒诱导的直径减小和拉曼位移增强

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2021-04-03 18:38

超薄InGaAs应变层上多层InAs InGaAs量子点的结构和光学性质研究

超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究，张春玲，姚江宏，本工作在GaAs基50nmInGaAs应变层上生长了六层InAs量子点（QD）层，通过分析各层之间的应力状

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2020-05-22 19:13

非掺杂GaAs AlGaAs量子点器件的制备与表征

非掺杂GaAs / AlGaAs量子点器件的制备与表征

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2021-04-17 14:37

独立式GaAs AlGaAs单量子阱SQW微管的显微拉曼研究

独立式GaAs / AlGaAs单量子阱(SQW)微管的显微拉曼研究

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2021-04-08 03:04

AlGaAs GaAs纳米线量子阱异质结构的制备和光学性质

AlGaAs / GaAs纳米线/量子阱异质结构的制备和光学性质

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2021-03-29 16:27

GaAs AlGaAs光学相控阵的优化分析

对多层GaAs/AlGaAs波导光学相控阵进行了仿真和实验的对比分析。借助新型光子设计仿真软件,利用有限元法和2.5维时域有限差分法(FDTD)法,对器件分别进行了电学特性和光学特性模拟研究。在p-i

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2021-04-05 22:49

GaAs AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验

GaAs/AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验

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2021-04-08 03:04

GaAs InGaAs GaAs纳米线核多壳量子阱异质结构的制备和光学性质

GaAs / InGaAs / GaAs纳米线核-多壳量子阱异质结构的制备和光学性质

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2021-04-22 16:21

室温下GaAs量子阱中自旋弛豫的密度依赖性

室温下GaAs量子阱中自旋弛豫的密度依赖性

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2021-05-04 22:48

室温下正己烷本底中PbSe量子点的荧光寿命

利用透射电镜、近红外吸收谱、荧光光谱和时间分辨光谱等技术,在室温下测量离散在正己烷有机溶剂中,不同粒径的PbSe量子点的吸收谱和荧光谱,给出了第一吸收峰和荧光峰随粒径变化的经验公式。通过对瞬态荧光衰减

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2021-02-24 01:47

AlGaAs GaAs多量子阱激光器

本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm~2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,

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2021-02-07 21:23

InGaAs GaAs量子点类脊型激光器的激射特性

用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构,并研制出量子点激光器.研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构之间的关系,结果表明激光器的阈值电流密度依赖于量子点的结构.通

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2021-04-04 06:23