论文研究 射频溅射法生长氧化铈薄膜

在这项研究中，探索了氧化铈的射频（RF）溅射以确定操作条件对玻璃和硅基板上氧化铈膜生长的影响。 工艺变量是溅射时间，输入功率和R（Ar / O2）比。 为了更好地理解工艺变量对生长机理的影响，采用SEM，XRD和α-step工艺研究了氧化铈的晶粒尺寸和膜厚。 从SEM照片的结果，可以通过使用成像分析技术评估氧化铈的晶粒。 另一方面，根据XRD数据，借助Scherrer方程，可以确定氧化铈晶体的晶体尺寸。 晶粒尺寸大于初级尺寸，表明氧化铈晶体的附聚。 另外，在回归之后，本文讨论了参数对晶体尺寸和膜厚度的影响。