功率对射频磁控溅射生长ZnO薄膜性能的影响

通过使用不同溅射功率的射频(RF)磁控溅射技术,在石英衬底上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,该技术将其功率从10 W调整到200W。发现溅射功率起着重要的作用。在电影的成长过程中。 检查了结晶度,吸收和光致发光(PL)的特征。 此外,还通过使用原子力显微镜(AFM)观察了膜的表面形态。 在生长过程中增加功率后,以150 W的RF功率沉积的薄膜显示出最佳的晶体质量和光学性能。 150 W的拐点是可检测的。 据估计,这种趋势是由于由增大功率引起的从ZnO靶溅射出的颗粒的增强而引起的。 这些结果表明,溅射技术具有最佳的功率工作范围。 对此的物理机制已通过简单的定性模型和动力学方程式进行了解释。 由Els