射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜
采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。
用户评论
相关推荐
C轴择优取向AlN薄膜的制备研究
Preparation of C-axis preferred orientation AlN thin films
PDF
0B
2019-06-22 12:21
C轴择优取向ALN薄膜的制备研究
对（001）择优取向AlN薄膜进行了制备
PDF
0B
2018-12-26 15:30
功率对射频磁控溅射生长ZnO薄膜性能的影响
通过使用不同溅射功率的射频(RF)磁控溅射技术,在石英衬底上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,该技术将其功率从10 W调整到200W。发现溅射功率起着重要的作用。在电影的成长过程中。 检查了结晶度,吸收和光
PDF
640KB
2021-02-24 20:38
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究,希望对大家有用
PDF
0B
2019-09-07 00:04
论文研究射频反应磁控溅射制备VOx薄膜.pdf
射频反应磁控溅射制备VOx薄膜，李建峰，吴志明，本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响，在低真空中330℃低温退火得到了高性能的VOx薄膜，制
PDF
0B
2019-09-20 07:05
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究1
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究,希望对大家有用
PDF
0B
2019-09-09 10:36
AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入
PDF
3.19MB
2021-02-10 03:50
ZnO AlN Si111薄膜的外延生长和性能研究
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(1
PDF
852KB
2021-04-17 18:48
AlN单晶生长行为研究
本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响。当温差为60 °C时
PDF
3.81MB
2021-05-04 22:37
射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质
射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质
PDF
178KB
2021-04-17 13:50
工作功率对射频磁控溅射沉积硼薄膜性能的影响
工作功率对射频磁控溅射沉积硼薄膜性能的影响
PDF
1.46MB
2021-05-05 05:06
论文研究射频溅射法生长氧化铈薄膜
在这项研究中，探索了氧化铈的射频（RF）溅射以确定操作条件对玻璃和硅基板上氧化铈膜生长的影响。 工艺变量是溅射时间，输入功率和R（Ar / O2）比。 为了更好地理解工艺变量对生长机理的影响，采用SE
PDF
1.66MB
2020-07-17 18:53
磁控溅射制备TaN薄膜研究
磁控溅射制备TaN薄膜研究，康杰，，使用磁控反应溅射制备TaN薄膜，研究不同氮分压，工作气压，溅射功率以及基片温度等条件对薄膜的结构和性能影响，得到了薄膜的方阻
PDF
187KB
2020-07-19 01:36
AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响
AlN成核层的生长温度对高温MOCVD法生长AlN模板的影响
PDF
1.5MB
2021-04-21 19:35
AlN沿习的纳米薄膜文献
溅射镀膜方法沉积AlN纳米薄膜的沿袭，被模板晶化
PDF
0B
2018-12-26 15:31