氧化钒薄膜光电特性

氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究

采用一种新工艺在Si和Si3N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到3个数量级,红外透过率在相变前后改

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2021-02-23 20:35

基于不同衬底的五氧化二钒薄膜光电特性

利用射频磁控溅射方法,在红外石英、蓝宝石和光学单晶金刚石上制备了氧化钒薄膜,然后对其结构与厚度、表面形貌、电学及光学性能进行了表征。实验结果表明,制备出的薄膜均为单一组分的V2O5薄膜,在(001)面

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2021-04-25 16:40

钨钒共溅掺杂二氧化钒薄膜的制备及其光学特性

为了解决VO2薄膜掺杂后相变温度高,相变前后红外透射率差值减小等问题,利用磁控共溅射的方法,在普通玻璃基底上溅射沉积钨钒薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火,制备了性能良好的掺钨VO2薄膜。分析对比了不同

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2021-02-10 01:35

氧化钒碳纳米管复合薄膜的制备及特性

提出了一种制备氧化钒热敏电阻薄膜的新方法。采用紫外光和过氧化氢相结合的方法,对多壁碳纳米管进行功能化处理,然后通过溶胶凝胶法,使功能化碳纳米管与V2O5相复合,制备氧化钒碳纳米管复合薄膜。与单纯的氧化

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2021-02-09 16:01

氮气气氛不同时氧化钒薄膜时间退火特性研究

对磁控溅射法制备的氧化钒(VOx)薄膜在N2气氛中进行了不同时间的450 °C退火实验,并研究了其退火前后的形貌、结构、成分和电学特性的变化。电阻温度特性测试表明,退火后薄膜的电阻(R)和电阻温度系数

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2021-04-04 07:38

钒氧酞菁多晶薄膜的稳态光电压特性研究

报道了Al/VOPc/ITO夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长,而且依赖于VOPc(钒氧酞菁)多晶薄膜的堆积方式。对VOPc在相I、相II、及α型三种堆积

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2021-03-11 21:03

硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究

本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变

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2021-04-06 04:07

二氧化钒薄膜的变温红外光学特性研究

基于二氧化钒在约68 °C出现的半导体到金属的可逆相变,伴随有电学和光学特性的改变。因为相变机制的复杂性,很难从理论上推导出相变前后光学常数随波长和温度变化的解析表达式。研究了二氧化钒薄膜的折射率和消

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2021-02-19 16:00

高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究

基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜,通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射

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2021-02-06 07:30

热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响

应用电子束蒸镀氧化铟锡(ITO)薄膜, 在氮气环境中对ITO膜进行不同温度下快速热退火(RTA)处理。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术、扫描电子显微镜(SEM)、可见光分光谱

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2021-02-08 10:42

氧化钒薄膜制备及热处理过程研究

氧化钒薄膜制备及热处理过程研究，闫蓓蕾，，采用以金属钒为基础原料利用直接反应法制备氧化钒薄膜并进行热处理过程研究，研究热处理温度对氧化钒薄膜成分的影响。采用扫描电

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2020-07-23 19:02

磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

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2021-02-23 20:35

膜厚对氧化钒薄膜结构和光学性质的影响

利用真空热蒸发在石英基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜, 研究厚度对薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。薄膜的结构由X射线衍射(XRD)仪和拉曼(Raman)光谱仪测得, 表面形貌用原子力显微镜(AFM)

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2021-02-23 18:16

五氧化二钒薄膜电解液界面电化学研究

摘要:以晶态V2O5(c-V2O5)为原料,采用熔融淬冷法成功制取了V2O5薄膜电极,研究了该电极电化学阻抗谱(EIS)的基本形状及其随电位的变化,并用等效电路拟合了不同电位下的EIS,同时系统地测试

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2022-08-14 05:36

氧化镍薄膜阻变特性研究进展

氧化镍薄膜阻变特性研究进展，李建昌，王玉磊，氧化镍薄膜因非挥发性、低功耗、开关重复性好及阻值窗口大等优势而成为广泛研究的阻变材料之一。本文从器件结构、阻变机理及影响

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2020-07-23 19:02