杂质从I区向II区扩散

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由于As在Si和SiO2中固溶度不一样,定义杂质在Si和SiO2中的平衡浓度之比为分凝系数,故从I区向II区扩散时,As的浓度在Si/SiO2界面处将按分凝系数m的比例进行分配。杂质在I、II区在的扩散方程为: 解上面的方程得出[12]:

杂质的抽取效应和向III区的扩散

在接近SiO2/Si界面处硅中的杂质浓度由方程(3.48)可以求出: 图3.7 改进硅-硅直接键合的杂质扩散模型由于在1100°C的键合温度下,杂质As在SiO2中的扩散系数为D2=3.58×10-

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