杂质通过SiO2扩散模型
为了说明清楚杂质通过二氧化硅扩散的问题,我们仅用最简单的情况说明。假设二氧化硅的表面浓度为恒定不变的预淀积过程,并且扩散的初始条件为二氧化硅和硅中的杂质浓度为0。 图3.2 杂质通过二氧化硅扩散模型 建立如图3.2所示的杂质通过二氧化硅扩散模型[10],二氧化硅层的厚度为d,以C1(x,t) 和C2(x,t)分别表示在任意时刻t和位置x处杂质在二氧化硅中和硅中的浓度,以D1和D2分别表示杂质在二氧化硅和硅中的扩散系数。硅片可以认为是半无限大,并且杂质的浓度小于本征载流子浓度,所以也不考虑杂质扩散的“场助效应”,认为杂质扩散系数不变。根究恒定源扩散
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