激光定域晶化技术制备纳米硅的研究

上传:qq_65659 浏览: 21 推荐: 0 文件:PDF 大小:106.05KB 上传时间:2020-12-16 21:19:16 版权申诉
朱乐仪,黄信凡,王 立,王晓伟,马忠元,李 伟,陈坤基(南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,江苏南京 210093)摘要:利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si:H(4am)/a-SiNx:H(10nm)多层膜中的超薄a-Si:H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列。原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-Si:H/a-SiN。:H多层膜周期(14am)相等的nc-Si阵列。 关键词:激光晶化;纳米硅;微结
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