氧气氛下磁控溅射制备富硼薄膜的研究

在本文中,通过在不同氧分压下以射频和硼为靶的射频(rf)磁控溅射在(1 0 0)硅衬底上生长氧化硼( 10 B)膜。 分别通过X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱仪(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)表征了沉积膜的结构和性能。 结果表明,衬底被致密的富硼薄膜覆盖,薄膜的表面被B2O3覆盖。 并分析了富氧膜在氧气气氛中的生长机理。